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NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHMBT9014isdesignedforuseinpre-amplifieroflowlevelandlownoise. Features ?HighTotalPowerDissipation(PD:225mW) ?ComplementarytoHMBT9015 ?HighhFEandGoodLinearity | HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司 | HSMC | ||
NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandAFamplifierapplications????????? NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandAFamplifierapplications | SEMTECH Semtech Corporation | SEMTECH | ||
PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.50ohm,Id=-1.1A)
| IRF International Rectifier | IRF | ||
PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?ForautomaticInsertion ?Endstackable ?P-channel ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?ForautomaticInsertion ?Endstackable ?P-channel ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
HEXFET?POWERMOSFET
| IRF International Rectifier | IRF | ||
PowerMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.50ohm,Id=-1.8A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderin | IRF International Rectifier | IRF |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
通用型 （Uni）_低噪放大 （ra）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
30V
- 最大電流允許值：
0.05A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
0.3W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
A-20
- vtest：
30
- htest：
999900
- atest：
0.05
- wtest：
0.3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHISEMIC |
05+ |
原廠原裝 |
9270 |
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
65200 |
詢價 | ||||
HITACHI/日立 |
23+ |
TO92 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
Renesas |
21+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
114 |
進(jìn)口原裝,訂貨渠道! |
詢價 | ||
HITACHI/日立 |
22+ |
TO-92 |
50000 |
只做原裝假一罰十,歡迎咨詢 |
詢價 | ||
HITACHI/日立 |
23+ |
NA/ |
3750 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價 | |||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價 | |||
HITACHI |
24+ |
TO-92 |
5000 |
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
HITACHI |
23+24 |
TO-92 |
29850 |
原裝正品優(yōu)勢渠道價格合理.可開13%增值稅發(fā)票 |
詢價 |
