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KSC5405	文件：39.43 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltagePowerSwitchSwitchingApplications HighVoltagePowerSwitchSwitchingApplications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
KSC5405F	文件：45.73 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltagePowerSwitchingApplications HighVoltagePowerSwitchingApplications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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MAX5405EUB	文件：442.43 Kbytes Page：10 Pages	Dual256-Tap,Low-Drift,DigitalPotentiometersin10-關MAX	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導體	Maxim
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MEC5405-D	文件：105.4 Kbytes Page：1 Pages	TWTs,ContinuousWave	TELEDYNE Teledyne Technologies Incorporated	TELEDYNE
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MS5405-BM	文件：183.86 Kbytes Page：8 Pages	MINIATURESMDPRESSURESENSOR	INTERSEMA Intersema Sensoric SA	INTERSEMA
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NDL5405L	文件：76.18 Kbytes Page：8 Pages	1000to1600nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONS50mmInGaAsAVALANCHEPHOTODIODEMODULE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
NDL5405L	文件：75.42 Kbytes Page：8 Pages	1000to1600nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONS30mmInGaAsAVALANCHEPHOTODIODEMODULE DESCRIPTION NDL5531PSeriesisanInGaAsavalanchephotodiodemodulewithsinglemodefiber.Itisdesignedfordetectorsoflongwavelengthtransmissionsystems.Theseriescoversthewavelengthrangebetween1000and1600nm. FEATURES ?SmalldarkcurrentID=5nA ?Smallterminalcapaci	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
NDL5405L	文件：66.75 Kbytes Page：8 Pages	1000to1600nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONS80mmInGaAsPINPHOTODIODEMODULE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
NDL5405L	文件：68.5 Kbytes Page：8 Pages	1300nmOPTICALANALOGCATVSYSTEM80mmInGaAsPINPHOTODIODEMODULEWITHSMF SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
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NTB5405N	文件：76.74 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTB5405N	文件：306.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=116A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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