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HM40N10	文件：804.35 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM40N10K	文件：540.35 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HMS40N10D	文件：1.13663 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
LMAK40N10	文件：1.25335 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
LMAK40N10A	文件：1.75913 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
MCU40N10	文件：457.79 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MTB40N10E	文件：266.68 Kbytes Page：10 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTB40N10E	文件：192.96 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET40AMPERES100VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTH40N10	文件：292.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=40mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP40N10E	文件：160.92 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET40AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.04OHM	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP40N10E	文件：212.06 Kbytes Page：7 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NP40N10PDF	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP40N10PDF	文件：344.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=27mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP40N10PDF	文件：162.8 Kbytes Page：11 Pages	100V??40A??N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP40N10VDF	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP40N10VDF	文件：862.07 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
NP40N10VDF	文件：299.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=26mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP40N10VDF	文件：162.8 Kbytes Page：11 Pages	100V??40A??N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP40N10YDF	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP40N10YDF	文件：259.839 Kbytes Page：11 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=25mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A)(NP40N10YDF) ?RDS(on)=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A)(NP40N10VDF) ?RDS(on	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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更多HM40N10供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-20 15:40:00

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