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HM628512BLP-5中文資料日立數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

HM628512BLP-5
廠商型號(hào)

HM628512BLP-5

功能描述

4 M SRAM (512-kword x 8-bit)

文件大小

85.93 Kbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 Hitachi Semiconductor
企業(yè)簡稱

Hitachi日立

中文名稱

日立公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-18 8:30:00

HM628512BLP-5規(guī)格書詳情

Description

The Hitachi HM628512B is a 4-Mbit static RAM organized 512-kword ×8-bit. It realizes higher density, higher performance and low power consumption by employing 0.35 μm Hi-CMOS process technology. The device, packaged in a 525-mil SOP (foot print pitch width) or 400-mil TSOP TYPE II or 600-mil plastic DIP, is available for high density mounting. The HM628512B is suitable for battery backup system.

Features

? Single 5 V supply

? Access time: 55/70 ns (max)

? Power dissipation

? Active: 50 mW/MHz (typ)

? Standby: 10 μW (typ)

? Completely static memory. No clock or timing strobe required

? Equal access and cycle times

? Common data input and output: Three state output

? Directly TTL compatible: All inputs and outputs

? Battery backup operation

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    HM628512BLP-5

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
HITACHI
2016+
DIP
8880
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免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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