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IRF730B

N-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ?DrainCurrent–ID=5.5A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max) ?FastSwitchingSpeed APPLICATIONS ?Designedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications, suchasoff-lineswitchingpowers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多HM730F供應(yīng)商 更新時間2025-4-25 14:00:00