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HMC-ALH216RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
HMC-ALH216 |
參數(shù)屬性 | HMC-ALH216 封裝/外殼為模具;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器;產(chǎn)品描述:IC RF AMP GP 14GHZ-27GHZ DIE |
功能描述 | GaAs HEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER |
文件大小 |
275.66 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Analog Devices |
企業(yè)簡稱 |
AD【亞德諾】 |
中文名稱 | 亞德諾半導體技術(shù)有限公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-23 23:00:00 |
HMC-ALH216規(guī)格書詳情
HMC-ALH216屬于RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器。由亞德諾半導體技術(shù)有限公司制造生產(chǎn)的HMC-ALH216射頻放大器在射頻應用中,射頻放大器產(chǎn)品可用于信號增益和緩沖。這些產(chǎn)品與通用運算放大器的不同之處在于,它們通常適用于更高的頻率,更傾向于提供不可調(diào)節(jié)的固定增益,并且輸入或輸出阻抗值符合常用傳輸線特性阻抗。
General Description
The HMC-ALH216 is a GaAs MMIC HEMT Wideband Low Noise Amplifi er die which operates between 14 and 27 GHz. The amplifi er provides 18 dB of gain, 2.5 dB noise fi gure and +14 dBm of output power at 1 dB gain compression while requiring only 90 mA from a +4V supply voltage. The HMC-ALH216 amplifi er is ideal for integration into Multi-Chip-Modules (MCMs) due to its small size.
Features
Noise Figure: 2.5 dB @ 20 GHz
Gain: 18 dB
P1dB Output Power: +14 dBm
Supply Voltage: +4V @ 90 mA
Die Size: 2.25 x 1.58 x 0.1 mm
Typical Applications
This HMC-ALH216 is ideal for:
? Point-to-Point Radios
? Point-to-Multi-Point Radios
? Military & Space
? Test Instrumentation
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
HMC-ALH216
- 制造商:
Analog Devices Inc.
- 類別:
RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 頻率:
14GHz ~ 27GHz
- 增益:
18dB
- 噪聲系數(shù):
2.7dB
- 射頻類型:
通用
- 電壓 - 供電:
4V
- 電流 - 供電:
90mA
- 測試頻率:
14GHz ~ 27GHz
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
模具
- 供應商器件封裝:
模具
- 描述:
IC RF AMP GP 14GHZ-27GHZ DIE
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI(亞德諾) |
23+ |
SMD |
942 |
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ADI/亞德諾 |
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