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HMC-ALH369	文件：134.85 Kbytes Page：3 Pages	GaAs HEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 24 - 40 GHz GeneralDescription TheHMC-ALH369isaGaAsMMICHEMTthreestage,self-biasedLowNoiseAmplifierdiewhichoperatesbetween24and40GHz.Theamplifierprovides22dBofgain,fromasinglebiassupplyof+5V@66mAwithanoisefigureof2dB.TheHMC-ALH369amplifierdieisidealfori	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC-ALH369	文件：565.86 Kbytes Page：6 Pages	GaAs HEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER GeneralDescription TheHMC-ALH369isaGaAsMMICHEMTthreestage,self-biasedLowNoiseAmplifierdiewhichoperatesbetween24and40GHz.Theamplifierprovides22dBofgain,fromasinglebiassupplyof+5V@66mAwithanoisefigureof2dB.TheHMC-ALH369amplifierdieisidealfori	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
HVC369	文件：20.85 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features ?LowcapacitanceandtobeusableatGHz. ?Highcapacitanceratio.(n=2.3min) ?Lowseriesresistance.(rs=0.5?max) ?UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVC369B	文件：41.49 Kbytes Page：2 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO FEATURES ?LowcapacitanceandtobeusableatGHz. ?Highcapacitanceratio.(n=2.3min) ?Lowseriesresistance.(rs=0.5?max) ?UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	LRCLeshan Radio Company 樂山無線電樂山無線電股份有限公司	LRC
HVC369B	文件：20.85 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features ?LowcapacitanceandtobeusableatGHz. ?Highcapacitanceratio.(n=2.3min) ?Lowseriesresistance.(rs=0.5?max) ?UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVC369B	文件：235.15 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features ?LowcapacitanceandtobeusableatGHz. ?Highcapacitanceratio.(n=2.3min) ?Lowseriesresistance.(rs=0.5?max) ?UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HVD369B	文件：44.16 Kbytes Page：1 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features ●LowcapacitanceandtobeusableatGHz. ●Highcapacitanceratio.(n=2.3min) ●Lowseriesresistance.(r=0.5Ωmax) ●SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	ZHAOXINGWEIZhaoxingwei Electronics ., Ltd 兆興威深圳市兆興威電子有限公司	ZHAOXINGWEI
HVD369B	文件：33.21 Kbytes Page：1 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features ●LowcapacitanceandtobeusableatGHz. ●Highcapacitanceratio.(n=2.3min) ●Lowseriesresistance.(r=0.5Ωmax) ●SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
HVD369B	文件：147.67 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HVD369B	文件：35.71 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features ?LowcapacitanceandtobeusableatGHz. ?Highcapacitanceratio.(n=2.3min) ?Lowseriesresistance.(rs=0.5?max) ?SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVD369B	文件：149.8 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features ?LowcapacitanceandtobeusableatGHz. ?Highcapacitanceratio.(n=2.3min) ?Lowseriesresistance.(rs=0.5?max) ?SupersmallFlatLeadPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
KHP369	文件：317.66 Kbytes Page：3 Pages	Toolsandharnessingmachines	LUMBERGLumberg 隆堡隆堡（Lumberg）	LUMBERG
LM369	文件：262.98 Kbytes Page：14 Pages	PrecisionVoltageReference	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LM369BH	文件：262.98 Kbytes Page：14 Pages	PrecisionVoltageReference	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LM369BN	文件：262.98 Kbytes Page：14 Pages	PrecisionVoltageReference	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LM369CN	文件：262.98 Kbytes Page：14 Pages	PrecisionVoltageReference	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LM369DM	文件：262.98 Kbytes Page：14 Pages	PrecisionVoltageReference	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LM369DMX	文件：262.98 Kbytes Page：14 Pages	PrecisionVoltageReference	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LM369DN	文件：262.98 Kbytes Page：14 Pages	PrecisionVoltageReference	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LM369DRC	文件：262.98 Kbytes Page：14 Pages	PrecisionVoltageReference	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
HMC-ALH369
制造商：
HITTITE
制造商全稱：
Hittite Microwave Corporation
功能描述：
GaAs HEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 24 - 40 GHz

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市盈盛科創(chuàng)科技有限公司	HMC-ALH369	HITTITE	16+		500	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一罰十	詢價(jià)
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	HMC-ALH369	HITTITE	24+	CHIP	5000	“芯達(dá)集團(tuán)”專注軍工宇航級(jí)元器件,歡迎來電咨詢	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	HMC-ALH369	ADI(亞德諾)	23+	4-Pin Die	924	原廠直供,支持賬期,免費(fèi)供樣,技術(shù)支持	詢價(jià)
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深圳市卓越微芯電子有限公司	HMC-ALH369	HITTITE	2020+	CHIP	18600	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市正納電子有限公司	HMC-ALH369	HITTITE	15++	DIE	700		詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	HMC-ALH369	ADI/亞德諾	23+	SOP	15280		詢價(jià)
深圳市云迪科技有限公司	HMC-ALH369	AD	22+	DIE	500	原裝優(yōu)勢(shì)軍工物料供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	HMC-ALH369	ADI	20+	SMD	4500	只做原裝正品假一賠十為客戶做到	詢價(jià)
深圳市利加科技有限公司	HMC-ALH369	HITTITE	2022+	DIP	8000		詢價(jià)

更多HMC-ALH369供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 18:18:00

詳細(xì)參數(shù)

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