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HVC131	文件：22.8 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features ?Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ?Lowforwardresistance.(rf=1.0?max) ?UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVC131	文件：82.66 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features ?Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ?Lowforwardresistance.(rf=1.0?max) ?UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HVC131	文件：31.44 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiode Features Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) Lowforwardresistance.(rf=1.0max)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
HVD131	文件：22.77 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features ?Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ?Lowforwardresistance.(rf=1.0?max) ?SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVD131	文件：82.91 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features ?Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ?Lowforwardresistance.(rf=1.0?max) ?SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HVU131	文件：23.4 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features ?Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ?Lowforwardresistance.(rf=1.0?max) ?UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVU131	文件：77.82 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features ?Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ?Lowforwardresistance.(rf=1.0?max) ?UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HVU131	文件：31.96 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiode Features ●Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ●Lowforwardresistance.(rf=1.0Ωmax)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
HVU131	文件：187.22 Kbytes Page：1 Pages	LowCapacitanceLowForwardresistance Features ●Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ●Lowforwardresistance.(rf=1.0Ωmax)	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
IGCS-E131GP	文件：844.79 Kbytes Page：3 Pages	Industrial4-portPCIeunmanagedGigabitEthernetswitchcard	ORING ORing Industrial Networking Corp	ORING
IGPCS-E131GP	文件：789.66 Kbytes Page：3 Pages	Industrial4-portPCIeunmanagedGigabitPoEEthernetswitchcard	ORING ORing Industrial Networking Corp	ORING
INA131	文件：113.51 Kbytes Page：10 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA131	文件：126.58 Kbytes Page：11 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
INA131AP	文件：113.51 Kbytes Page：10 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA131AP	文件：126.58 Kbytes Page：11 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
INA131BP	文件：113.51 Kbytes Page：10 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA131BP	文件：126.58 Kbytes Page：11 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
IRF131	文件：211.72 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRF131	文件：180.59 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,20A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpower,supplies,UPS,ACandDCmotorcontrol,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VGSRatedat±20V ●	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF131	文件：198.96 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
HMC131
功能描述：
Voltage-Controlled Oscillator

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
瑞航達(dá)科技(深圳)有限公司	HMC132C8			最新	2000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市福田區(qū)億興成電子商行	HMC132C8	HITTITE		SOP8	6698		詢價(jià)
深圳市正納電子有限公司	HMC132C8	Hittite Microwave	23+	NA	20094	正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持	詢價(jià)
深圳市英瑞爾電子科技有限公司	HMC132C8	Hittite	24+	QFN	2600	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳硅原半導(dǎo)體有限公司	HMC132C8	HITTITE	23+	SOP-8	6854		詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	HMC132C8		HITTITE	SOP8	68900	原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價(jià)
深圳市中億偉業(yè)電子有限公司	HMC132C8	HITTITE	22+	SOP8	92	原包標(biāo)簽.100%進(jìn)口原裝.常備現(xiàn)貨!	詢價(jià)
深圳市芯福林電子科技有限公司	HMC132C8TR	ADI/亞德諾	21+	原封裝	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	HMC132C8TR	HITTITE	23+	SOP-8	3663	一級代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、	詢價(jià)
博速半導(dǎo)體（深圳）有限公司	HMC132C8TR	ADI/亞德諾	22+		66900	原封裝	詢價(jià)

更多HMC131供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 9:04:00

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