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HMC326MS8GRF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
HMC326MS8G |
| 參數(shù)屬性 | HMC326MS8G 封裝/外殼為8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸露焊盤；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器；產(chǎn)品描述：IC RF AMP GP 3GHZ-4.5GHZ 8MSOP |
| 功能描述 | GaAs InGaP HBT MMIC DRIVER AMPLIFIER, 3.0 - 4.5 GHz |
| 封裝外殼 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸露焊盤 |
| 文件大小 |
231.75 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Hittite Microwave Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
Hittite |
| 中文名稱 | Hittite Microwave Corporation官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-1 18:26:00 |
HMC326MS8G規(guī)格書詳情
General Description
The HMC326MS8G & HMC326MS8GE are high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC driver amplifi ers which operate between 3.0 and 4.5 GHz. The amplifier is packaged in a low cost, surface mount 8 leaded package with an exposed base for improved RF and thermal performance. The amplifi er provides 21 dB of gain and +26 dBm of saturated power from a +5V supply voltage. Power down capability is available to conserve current consumption when the amplifi er is not in use. Internal circuit matching was optimized to provide greater than 40 PAE.
Features
Psat Output Power: +26 dBm
> 40 PAE
Output IP3: +36 dBm
High Gain: 21 dB
Vs: +5V
Ultra Small Package: MSOP8G
Typical Applications
The HMC326MS8G / HMC326MS8GE is ideal for:
? Microwave Radios
? Broadband Radio Systems
? Wireless Local Loop Driver Amplifi er
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
HMC326MS8G
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 類別：
RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 頻率：
3GHz ~ 4.5GHz
- P1dB：
23.5dBm
- 增益：
21dB
- 噪聲系數(shù)：
5dB
- 射頻類型：
通用
- 電壓 - 供電：
5V
- 電流 - 供電：
130mA
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-MSOPG
- 描述：
IC RF AMP GP 3GHZ-4.5GHZ 8MSOP
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI/亞德諾 |
24+ |
NA |
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Hittite |
24+ |
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ADI/亞德諾 |
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3000 |
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Hittite |
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ADI/亞德諾 |
23+ |
MSOP8 |
24981 |
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢 |
詢價 |
