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HMC5805A	文件：775.48 Kbytes Page：10 Pages	High P1dB Output Power: 24.5 dBm	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術有限公司	AD
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HMC5805ALS6TR	文件：775.48 Kbytes Page：10 Pages	High P1dB Output Power: 24.5 dBm	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術有限公司	AD
HMC5805ALS6TR	文件：955.29 Kbytes Page：10 Pages	GaAs pHEMT MMIC 0.25 WATT POWER AMPLIFIER DC	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術有限公司	AD
IRF5805	文件：126.83 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-30V) Description TheseP-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. TheTSOP	IRF International Rectifier	IRF
IRF5805PBF	文件：204.53 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseP-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. TheTSOP	IRF International Rectifier	IRF
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IRF5805TRPBF	文件：1.13915 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Available ?TrenchFET?PowerMOSFET APPLICATIONS ?LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
KR5805S	文件：188.57 Kbytes Page：12 Pages	SingleColor?5FlushMountRoundShapeType	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley

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