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HMC618LP3ERF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料

HMC618LP3E
廠商型號

HMC618LP3E

參數(shù)屬性

HMC618LP3E 封裝/外殼為16-VFQFN 裸露焊盤;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器;產(chǎn)品描述:IC AMP LTE 1.2GHZ-2.2GHZ 16QFN

功能描述

GaAs SMT PHEMT LOW NOISE AMPLIFIER, 1.7 - 2.2 GHz

封裝外殼

16-VFQFN 裸露焊盤

文件大小

326.58 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Hittite Microwave Corporation
企業(yè)簡稱

Hittite

中文名稱

Hittite Microwave Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-18 16:50:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    HMC618LP3E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 類別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 頻率:

    1.2GHz ~ 2.2GHz

  • P1dB:

    20dBm

  • 增益:

    19dB

  • 噪聲系數(shù):

    0.75dB

  • 射頻類型:

    LTE,WiMax

  • 電壓 - 供電:

    3V,5V

  • 電流 - 供電:

    89mA

  • 測試頻率:

    1.7GHz ~ 2GHz

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    16-VFQFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    16-QFN(3x3)

  • 描述:

    IC AMP LTE 1.2GHZ-2.2GHZ 16QFN

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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