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HMC667LP2

GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 2.3 - 2.7 GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

HMC667LP2

包裝：帶 封裝/外殼：6-TDFN 裸露焊盤 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：IC RF AMP GP 2.3GHZ-2.7GHZ 6DFN

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

HMC667LP2E

GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 2.3 - 2.7 GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

HMC667LP2E

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：6-TDFN 裸露焊盤 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：IC RF AMP GP 2.3GHZ-2.7GHZ 6DFN

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

HMC667LP2TR

包裝：帶 封裝/外殼：6-TDFN 裸露焊盤 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：IC RF AMP GP 2.3GHZ-2.7GHZ 6DFN

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

667LP2E

GaAsPHEMTMMICLOWNOISEAMPLIFIER,2.3-2.7GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HMC667LP2

  • 制造商：

    Analog Devices Inc.

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝：

    帶

  • 頻率：

    2.3GHz ~ 2.7GHz

  • P1dB：

    16.5dB

  • 增益：

    19dB

  • 噪聲系數(shù)：

    0.9dB

  • 射頻類型：

    通用

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 5V

  • 電流 - 供電：

    59mA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    6-TDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    6-DFN（2x2）

  • 描述：

    IC RF AMP GP 2.3GHZ-2.7GHZ 6DFN

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多HMC667LP2供應(yīng)商 更新時間2024-11-15 17:00:00

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