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HMC753LP4ERF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
HMC753LP4E |
| 參數(shù)屬性 | HMC753LP4E 封裝/外殼為24-TFQFN 裸露焊盤；包裝為帶；類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器；產(chǎn)品描述：IC RF AMP GP 1GHZ-11GHZ 24SMT |
| 功能描述 | GaAs HEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 1 - 11 GHz |
| 封裝外殼 | 24-TFQFN 裸露焊盤 |
| 文件大小 |
256.38 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Hittite Microwave Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
Hittite |
| 中文名稱 | Hittite Microwave Corporation官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-24 19:00:00 |
| 人工找貨 | HMC753LP4E價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
HMC753LP4E規(guī)格書詳情
General Description
The HMC753LP4E is a GaAs mmiC low Noise wideband Amplifier housed in a leadless 4x4 mm plastic surface mount package. The amplifier operates between 1 and 11 GHz, providing up to 16.5 dB of small signal gain, 1.5 dB noise figure, and output ip3 of +30 dBm, while requiring only 55 mA from a +5V supply. The p1dB output power of up to +18 dBm enables the lNA to function as a lodriver for balanced, i/Q or image reject mixers.
Features
Noise figure: 1.5 dB @ 4 GHz
Gain: 17 dB
p1dB output power: +18 dBm
supply Voltage: +5V @ 55 mA
output ip3: +30 dBm
50 ohm matched input/output
24 lead plastic 4x4mm smT package: 16mm2
Typical Applications
This HmC753lp4eis ideal for:
point-to-point radios
point-to-multi-point radios
military & space
Test instrumentation
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
HMC753LP4E
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 類別：
RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器
- 包裝：
帶
- 頻率：
1GHz ~ 11GHz
- P1dB：
15dBm
- 增益：
14dB
- 噪聲系數(shù)：
2dB
- 射頻類型：
通用
- 電壓 - 供電：
5V
- 電流 - 供電：
55mA
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
24-TFQFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
24-QFN（4x4）
- 描述：
IC RF AMP GP 1GHZ-11GHZ 24SMT
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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24+ |
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