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HN1B01FDW1T1G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

HN1B01FDW1T1G
廠商型號(hào)

HN1B01FDW1T1G

功能描述

Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount

文件大小

55.59 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-25 23:00:00

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HN1B01FDW1T1G規(guī)格書詳情

Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor

PNP and NPN Surface Mount

Features

? High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mA

? High hFE: hFE = 200~400

? Moisture Sensitivity Level: 1

? ESD Rating ? Human Body Model: 3A

? Machine Model: C

? Pb?Free Package is Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    HN1B01FDW1T1G

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual Complementary

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
23+
SC-74
3022
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
詢價(jià)
VISHAY
23+
SOP-8
12000
全新原裝假一賠十
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ON/安森美
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990000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
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12+
SC74
3000
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SC74
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只做全新進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨庫(kù)存
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