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HN3C10F 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 TOSHIBA/東芝

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

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  • 廠家型號：

    HN3C10F

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TOSHIBA

  • 庫存數(shù)量：

    7613

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-163SOT-23-6

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-27 16:30:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：HN3C10F品牌：TOSHIBA

新進庫存/原裝

  • 芯片型號：

    HN3C10F

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱：

    株式會社東芝

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    1 頁

  • 文件大?。?/span>

    90.93 kb

  • 資料說明：

    NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    HN3C10FUTE85LF

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    2 NPN（雙）

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    12V

  • 頻率 - 躍遷：

    7GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益：

    11.5dB

  • 功率 - 最大值：

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 20mA，10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    80mA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    US6

  • 描述：

    RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    云S/廖S

  • 手機：

    19168775913

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-88608801

  • 傳真：

    0755-88608801

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福華社區(qū)福虹路4號華強花園C座7A

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