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HN3C10FU 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 TOSHIBA/東芝

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  • 廠家型號：

    HN3C10FU

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TOSHIBA/東芝

  • 庫存數(shù)量：

    23864

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT363

  • 生產(chǎn)批號：

    2016+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時間：

    2024-11-18 8:30:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：HN3C10FU品牌：TOSHIBA

只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!

  • 芯片型號：

    HN3C10FU

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱：

    株式會社東芝

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    1 頁

  • 文件大?。?/span>

    90.99 kb

  • 資料說明：

    NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    HN3C10FUTE85LF

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    2 NPN（雙）

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    12V

  • 頻率 - 躍遷：

    7GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益：

    11.5dB

  • 功率 - 最大值：

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 20mA，10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    80mA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 供應商器件封裝：

    US6

  • 描述：

    RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市凌旭科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    謝先生

  • 手機：

    13682335883

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83221677

  • 傳真：

    0755-83234215

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)501棟407

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