首頁>HN7G06FE>詳情

HN7G06FE_TOSHIBA/東芝_兩極晶體管 - BJT Vceo=-12V Vceo=50V Ic=-400mA IC=100mA納艾斯

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    HN7G06FE

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TOSHIBA/東芝

  • 庫存數(shù)量：

    80000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-363

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2020+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-27 15:22:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：HN7G06FE品牌：TOSHIBA

只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增

  • 芯片型號(hào)：

    HN7G06FE

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱：

    株式會(huì)社東芝

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    73 頁

  • 文件大?。?/span>

    1582.74 kb

  • 資料說明：

    Bipolar Small-Signal Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    HN7G06FE

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT Vceo=-12V Vceo=50V Ic=-400mA IC=100mA

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市納艾斯科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖小姐

  • 手機(jī)：

    13117514091

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-/82781136/2707495

  • 傳真：

    0755-82707495

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格大廈5803A

相近型號(hào)