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HO-NP-1006	文件：929.58 Kbytes Page：12 Pages	Current Transducer	LEMLEM Electronics (China) Co., Ltd. 萊姆電子萊姆（LEM）集團(tuán)	LEM
HO-P-1006	文件：1.33861 Mbytes Page：15 Pages	CurrentTransducer	LEMLEM Electronics (China) Co., Ltd. 萊姆電子萊姆（LEM）集團(tuán)	LEM
HPR1006	文件：46.98 Kbytes Page：4 Pages	1.0WATTUNREGULATEDSIPDC/DCCONVERTER DESCRIPTION TheHPR10XXSeriesusesadvancedcircuitdesignandpackagingtechnologytodeliversuperiorreliabilityandperformance.A170kHzpush-pulloscillatorisusedintheinputstage.Beat-frequencyoscillationproblemsarereducedwhenusingtheHPR10XXSerieswithhighfrequencyisola	CANDD C&D Technologies	CANDD
HPR1006	文件：134.53 Kbytes Page：4 Pages	1.0WATTUNREGULATEDSIPDC/DCCONVERTER DESCRIPTION TheHPR10XXSeriesusesadvancedcircuitdesignandpackagingtechnologytodeliversuperiorreliabilityandperformance.A170kHzpush-pulloscillatorisusedintheinputstage.Beat-frequencyoscillationproblemsarereducedwhenusingtheHPR10XXSerieswithhighfrequencyisola	CANDD C&D Technologies	CANDD
HPR1006C	文件：179.2 Kbytes Page：4 Pages	1.0WATTUNREGULATED,SIPDC/DCCONVERTER DESCRIPTION TheHPR10XXCSeriesusesadvancedcircuitdesignandpackagingtechnologytodeliversuperiorreliabilityandperformance.A170kHzpush-pulloscillatorisusedintheinputstage.Beat-frequencyoscillationproblemsarereducedwhenusingtheHPR10XXCSerieswithhighfrequencyiso	MURATA-PSMurata Power Solutions Inc. 村田村田制作所	MURATA-PS
I1006RU	文件：346.32 Kbytes Page：2 Pages	I1000RUSERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
IC1006	文件：117.52 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTINDUCTORSICSeries:PowerChokes	RFERFE international RFE國(guó)際公司RFE國(guó)際股份有限公司	RFE
IPT-1006	文件：96.18 Kbytes Page：2 Pages	ICReferenceDesignTransformers	ICE ice Components, Ins.	ICE
IRFL1006	文件：127.5 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=0.22ohm,Id=1.6A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL1006N	文件：799.58 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFL1006PBF	文件：129.479 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
K1006	文件：127.79 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features ●HighSpeedSwitching ●Lowon-resistance ●NoSecondarybreakdown ●Lowdrivingpower ●Highvoltage ●VGSS=±30VGuarantee ●Avalance-proof Applications ●Switchingregulators ●UPS ●DC-DCconverters ●Generalpurposepoweramplifier	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
KBJ1006	文件：41.11 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
KBJ1006	文件：114.15 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
KBJ1006	文件：902.47 Kbytes Page：4 Pages	BRIDGERECTIFIERS10Amps BRIDGERECTIFIERS10Amps	RFERFE international RFE國(guó)際公司RFE國(guó)際股份有限公司	RFE
KBJ1006	文件：211.47 Kbytes Page：2 Pages	Voltage50V~1000V10AmpGlassPassivatedBridgeRectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
KBJ1006	文件：151.11 Kbytes Page：4 Pages	BridgeRectifiers	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司	YANGJIE
KBJ1006	文件：503.38 Kbytes Page：3 Pages	10AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERReverse	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
KBJ1006	文件：203.23 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE10.0AMPS.GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重慶平偉實(shí)業(yè)重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司	CHONGQING
KBJ1006	文件：138.52 Kbytes Page：2 Pages	10AmpsSingle-PhaseSiliconBridgeRectifiersHighsurgecurrentcapability	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI

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