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HOM245	文件：129.09 Kbytes Page：2 Pages	MINIATURE CIRCUIT BREAKER 120/240V 45A	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德電氣	SCHNEIDER
HOM245CP	文件：123.42 Kbytes Page：2 Pages	MINIATURE CIRCUIT BREAKER 120/240V 45A	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德電氣	SCHNEIDER
HS-245RH	文件：110.2 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardenedTripleLine(party-Line)Transmitter TheHS-245RH/246RH/248RHradiationhardenedtriplelinetransmitterandtriplelinereceiversarefabricatedusingtheIntersildielectricisolationprocess.ThesepartsareidenticalinpinoutandfunctiontotheoriginalHD-245/246/248.Theyarealsodiesizeandbondpadplacementcompatiblewi	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HS-245RH	文件：227.3 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardenedTripleLineTransmitter	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HS-245RH	文件：341.73 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardenedTripleLineTransmitterandReceivers Features ?ElectricallyScreenedtoSMD#5962-96722and 5962-96723 ?QMLQualifiedperMIL-PRF-38535Requirements ?RadiationHardenedDIProcessing -TotalDose....................200krad(Si)(Max) -LatchupFree -NeutronFluence..................5	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
IRF245	文件：70.67 Kbytes Page：7 Pages	14Aand13A,275Vand250V,0.28and0.34Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF245	文件：48.33 Kbytes Page：2 Pages	StaticDrain-SourceOn-Resistance DESCRIPTION ?DrainCurrentID=13A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.28Ω(Max) APPLICATIONS ?Switchingpowersupplies ?Switchingconverters,motordriver,relaydriver ?Audioamplifierandservomotors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFP245	文件：68.75 Kbytes Page：7 Pages	15Aand14A,275Vand250V,0.28and0.34Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP245	文件：67.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
ISCNH245W	文件：421.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IT245	文件：126.5 Kbytes Page：4 Pages	PulseTransformerwithSingleSecondaryWinding	SCHAFFNER Schaffner International Ltd	SCHAFFNER
J245B	文件：42.25 Kbytes Page：1 Pages	T-1,(3-mm)Round,QuadPCBMountLEDIndicator	idea IDEA.lnc.	idea
KABS245	文件：734.24 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE2.0AMPSURFACEMOUNTBRIDGERECTIFIER Features SchottkyBrrierChip LowPowerLoss,HighEfficiency IdeallySuitedforAutomaticAssembly SurgeOverloadRatingtoPeak PlasticCaseMaterialhasULFlammability ClassificationRating94V-	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
KDV245	文件：386 Kbytes Page：2 Pages	VARIABLECAPACITANCEDIODESILICONEPITAXIALPLANARDIODE(VCOFORUHFBANDRADIO) VCOFORUHFBandRadio. FEATURES ●HighCapacitanceRatio:C0.5V/C2.5V=2.5(Typ.) ●LowSeriesResistance:rs=0.35(Typ.) ●UsefulforSmallSizeTuner.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KDV245E	文件：383.62 Kbytes Page：2 Pages	VARIABLECAPACITANCEDIODESILICONEPITAXIALPLANARDIODE(VCOFORUHFBANDRADIO) VCOFORUHFBandRadio. FEATURES ●HighCapacitanceRatio:C0.5V/C2.5V=2.5(Typ.) ●LowSeriesResistance:rs=0.35(Typ.) ●UsefulforSmallSizeTuner.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KEWTN-245	文件：130.75 Kbytes Page：4 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 愛模愛模系統(tǒng)有限公司	MSYSTEM
KEWTN-245/Q	文件：130.75 Kbytes Page：4 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 愛模愛模系統(tǒng)有限公司	MSYSTEM
KEWTN-245W	文件：130.75 Kbytes Page：4 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 愛模愛模系統(tǒng)有限公司	MSYSTEM
KEWTN-245W/Q	文件：130.75 Kbytes Page：4 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 愛模愛模系統(tǒng)有限公司	MSYSTEM
KRC245M	文件：727.08 Kbytes Page：5 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHCURRENTSWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES WithBuilt-inBiasResistors. SimplifyCircuitDesign. ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. HighOutputCurrent:800mA.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多HOM245供應(yīng)商更新時間2024-12-25 9:06:00

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