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IRF122

N-ChannelPowerMosfets,

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

IRFD122

1.3Aand1.1A,80Vand100V,0.30and0.40Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

Description TheseareadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregul

HARRIS

Harris Corporation

IRFF122

N-ChannelEnhancement-ModePowerMOSField-EffectTransistors

5.0Aand6.0A,60V-100VrDS(0n)=0.30Ωand0.40Ω Features: ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice

GESS

GE Solid State

ISCD122

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISCI122P

iscThyristors

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISO122

PrecisionLowestCostISOLATIONAMPLIFIER

BURR-BROWN

Burr-Brown (TI)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    HP122

  • 功能描述：

    NPN SILICON TRANSISTOR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多HP122供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-11 17:01:00

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