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NCE0208KA	文件：378.78 Kbytes Page：8 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE0208KAusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=200V,ID=8A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
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PTRF0208RPVTSP/EM	文件：1.39268 Mbytes Page：29 Pages	TRF0208-SPRadiation-Hardness-Assured(RHA),Near-DCto11GHz,FullyDifferentialRFAmplifier 1Features ?Standardmicrocircuitdrawing(SMD),5962-24202 ?Radiation: –Totalionizingdose(TID) ?Radiationhardnessassurance(RHA)upto 100krad(Si)TID ?Enhancedlowdoseratesensitivity(ELDRS) freeprocess ?Highdoserateradiationlotacceptance testing(HDRRLAT)upto10	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
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RE0208M	文件：199.57 Kbytes Page：3 Pages	FastRecoveryDiodeforFlashCircuit800V,200mARectifier 800V,200mARectifier Features ?Highvoltage(VRRM=800V). ?Reverserecoverytimeisfast. ?Ultrasmall-sizepackagepermittingappliedsetstobesmallandslim. ?Halogenfreecompliance. Applications ?Voltagerectificationforflashcircuitetc.	SANYOSanyo 三洋三洋電機株式會社	SANYO

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更多HPWW0208供應商更新時間2024-11-17 9:00:00

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