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HRDB423

Delay-on-Break Timer

Description TheHRDBSeriescombinesanelectromechanical,relayoutput withmicrocontrollertimingcircuitry.TheHRDBoffers12to230V operationinfiveoptionsandfactoryfixed,external,oronboard adjustabletimedelayswitharepeataccuracyof±0.5.The isolatedoutputcontactrating

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

HRDB423

包裝：散裝 功能：關(guān) - 延遲 類別：工業(yè)自動(dòng)化與控制 延時(shí)繼電器 描述：RELAY TIME DELAY 10MIN 30A 125V

Littelfuse Inc.

Littelfuse Inc.

Littelfuse Inc.

ICX423

Diagonal11mm(Type2/3)CCDImageSensorforCCIRB/WVideoCameras

Description TheICX423ALisaninterlineCCDsolid-stateimagesensorsuitableforCCIRB/Wvideocameraswithadiagonal11mm(Type2/3)system.ComparedwiththecurrentproductICX083AL,basiccharacteristicssuchassensitivityandsmearareimproveddrasticallyandhighsaturationcharacteri

SonySony Corporation

索尼

ICX423AL

Diagonal11mm(Type2/3)CCDImageSensorforCCIRB/WVideoCameras

Description TheICX423ALisaninterlineCCDsolid-stateimagesensorsuitableforCCIRB/Wvideocameraswithadiagonal11mm(Type2/3)system.ComparedwiththecurrentproductICX083AL,basiccharacteristicssuchassensitivityandsmearareimproveddrasticallyandhighsaturationcharacteri

SonySony Corporation

索尼

IFN423

DualN-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistor

DualN-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistor ●VeryHighInputImpedanceDifferentialAmplifiers ●Electrometers

InterFET

InterFET Corporation

IRF423

N-CHANNELPOWERMOSFETS

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

IRF423

2.2Aand2.5A,450Vand500V,3.0and4.0Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforappli

Intersil

Intersil Corporation

IRF423

N-ChannelPowerMOSFETs,3.0A,450V/500V

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRF423

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF423

2.2Aand2.5A,450Vand500V,3.0and4.0Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HRDB423

  • 制造商：

    Littelfuse Inc.

  • 類別：

    工業(yè)自動(dòng)化與控制 > 延時(shí)繼電器

  • 系列：

    HRDB

  • 包裝：

    散裝

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 繼電器類型：

    機(jī)械式繼電器

  • 功能：

    關(guān) - 延遲

  • 電路：

    SPDT（1 Form C）

  • 延遲時(shí)間：

    0.1 分 ~ 10 分

  • 不同電壓時(shí)額定接觸電流：

    30A @ 125/240VAC

  • 電壓 - 供電：

    120VAC

  • 端接樣式：

    快速連接 - 0.250"（6.3mm）

  • 定時(shí)調(diào)節(jié)方法：

    螺絲刀槽

  • 定時(shí)啟動(dòng)方法：

    輸入電壓，觸發(fā)器信號(hào)

  • 描述：

    RELAY TIME DELAY 10MIN 30A 125V

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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200
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更多HRDB423供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-1 14:16:00

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