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IRF5N60	文件：176.54 Kbytes Page：5 Pages	POWERMOSFET	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
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IXTA5N60P	文件：125.65 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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JCS5N60B	文件：941.3 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical9pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballastsbasedonhalfbridge UPS	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS5N60C	文件：1.09548 Mbytes Page：12 Pages	MAINCHARACTERISTICS	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
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KF5N60D	文件：409.37 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF5N60D	文件：1.07621 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
KF5N60F	文件：97.25 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,ID=4.5A ?Dr	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC

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