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HS9-6617RH中文資料Intersil數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

HS9-6617RH
廠商型號(hào)

HS9-6617RH

功能描述

Radiation Hardened 2K x 8 CMOS PROM

文件大小

94.36 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Intersil Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Intersil

中文名稱

Intersil Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-5 18:26:00

HS9-6617RH規(guī)格書詳情

Intersil’s Satellite Applications FlowTM (SAF) devices are fully tested and guaranteed to 100kRAD total dose. These QML Class T devices are processed to a standard flow intended to meet the cost and shorter lead-time needs of large volume satellite manufacturers, while maintaining a high level of reliability.

Features

? QML Class T, Per MIL-PRF-38535

? Radiation Performance

- Gamma Dose (γ) 1 x 105 RAD(Si)

- SEU LET 16MeV/mg/cm2

- SEL LET 100MeV/mg/cm2

? Field Programmable Nicrome Fuse Links

? Low Standby Power 1.1mW Max

? Low Operating Power 137.5mW/MHz Max

? Fast Access Time 100ns Max

? TTL Compatible Inputs/Outputs

? Synchronous Operation

? On Chip Address Latches, Three-State Outputs

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    HS9-6617RH

  • 制造商:

    INTERSIL

  • 制造商全稱:

    Intersil Corporation

  • 功能描述:

    Radiation Hardened 2K x 8 CMOS PROM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
HS(漢昇)
23+
6000
誠(chéng)信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤
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INTERSIL
1948+
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