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HSA-254-WT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝類別：電纜，電線 - 管理標(biāo)記物描述：HEAT SHRINK TUBING, 1 IN DIA X 1	Brady Corporation Brady Corporation	Brady Corporation
HV254	文件：276.75 Kbytes Page：7 Pages	32-ChannelHighVoltageAmplifierArray	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
HV254FG	文件：276.75 Kbytes Page：7 Pages	32-ChannelHighVoltageAmplifierArray	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
HV254FG-G	文件：692.72 Kbytes Page：10 Pages	32-ChannelHighVoltageAmplifierArray	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
ICX254AK	文件：197.17 Kbytes Page：18 Pages	Diagonal6mm(Type1/3)CCDImageSensorforNTSCColorVideoCameras Description TheICX254AKisaninterlineCCDsolid-stateimagesensorsuitableforNTSCcolorvideocameraswithadiagonal6mm(Type1/3)system.ComparedwiththecurrentproductICX054BK,basiccharacteristicssuchassensitivity,smear,dynamicrangeandS/Nareimproveddrasticallythrought	SonySony Corporation 索尼	Sony
ICX254AL	文件：185.77 Kbytes Page：17 Pages	Diagonal6mm(Type1/3)CCDImageSensorforEIAB/WVideoCameras Description TheICX254ALisaninterlineCCDsolid-stateimagesensorsuitableforEIAB/Wvideocameraswithadiagonal6mm(Type1/3)system.ComparedwiththecurrentproductICX054BL,basiccharacteristicssuchassensitivity,smear,dynamicrangeandS/Nareimproveddrasticallyfromvisible	SonySony Corporation 索尼	Sony
INA254	文件：950.61 Kbytes Page：21 Pages	INA254,80V,High-Voltage,?50AIntegratedPrecisionShunt,Bidirectional,Zero-DriftCurrent-ShuntMonitor	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA254	文件：1.57175 Mbytes Page：30 Pages	INA25480-V,High-Voltage,±75-AIntegratedPrecisionShunt,Bidirectional,Zero-DriftCurrent-ShuntMonitor 1Features ?Precisionintegrated400-μΩshuntresistor –Continuous±75Aat25°C –Continuous±50Afrom–40°Cto+85°C –Shuntresistortolerance:0.5(maximum) –Lowdrift:10ppm/°C(0°Cto125°C) –Lowinductance:2nH ?Highaccuracy –Systemgainerror:0.5(maximum) –Systemgain	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
IRF254	文件：49.56 Kbytes Page：1 Pages	HighVoltagePowerMOSFETDieN-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries FEATURES: ?Fastswitchingtimes ?LowRDS(on)HDMOS?process ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Excellenthighvoltagestability ?Lowinputcapacitance ?Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: ?Switchingpowersupplies ?Motorcontrols ?AudioAmplifiers ?Invert	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRF254	文件：48.37 Kbytes Page：2 Pages	NanosecondSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF254	文件：182.31 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedN-ChannelPowerMOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFM254	文件：93.65 Kbytes Page：1 Pages	PulsewidthlimitedbyMaximumJunctionTemperature	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFP254	文件：162.48 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.14ohm,Id=23A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?IsolatedCentralMountingHole ?FastS	IRF International Rectifier	IRF
IRFP254	文件：46.91 Kbytes Page：2 Pages	StandardPowerMOSFET-N-ChannelEnhancementMode StandardPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackage JEDECTO-247AD ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Highcommutatingdv/dtrating ?Fastswitchingtimes Applications ?Switch-modeandresonant-mode po	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP254	文件：49.56 Kbytes Page：1 Pages	HighVoltagePowerMOSFETDieN-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries FEATURES: ?Fastswitchingtimes ?LowRDS(on)HDMOS?process ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Excellenthighvoltagestability ?Lowinputcapacitance ?Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: ?Switchingpowersupplies ?Motorcontrols ?AudioAmplifiers ?Invert	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP254	文件：1.37117 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP254	文件：1.53406 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP254	文件：67.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.14Ω(Max) ?FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP254	文件：621.78 Kbytes Page：2 Pages	HEXFET?PowerMOSFET TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludetheuseofTO-220devices.TheTO-247issimilarbutsuperiortotheearlierTO-218packagebecauseofitsisolatedmoutinghole.Italsoprovidesgreatercreepagedistancebetweenpinstomee	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFP254	文件：1.55662 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
HSA-254-WT
制造商：
Brady Corporation
類別：
電纜，電線 - 管理 > 標(biāo)記物
包裝：
散裝
描述：
HEAT SHRINK TUBING, 1 IN DIA X 1

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司	HSA2550RJ	TE	24+	con	35960	查現(xiàn)貨到京北通宇商城	詢價(jià)
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司	HSA2568RJ	NA	2024+	SMD	3298	原廠全新正品供應(yīng)商	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	HSA2812S/H	HB	19+;20+	模塊	2	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市宏興瑞科技有限公司	HSA2812S/H	HB	23+	模塊	10000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	HSA28D15	43所	23+	模塊	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市賽特興科技有限公司	HSA28D15	國產(chǎn)	QQ咨詢	模塊	71	全新原裝研究所指定供貨商	詢價(jià)
北京三盛恒業(yè)電子有限公司	HSA28D15/H-A	CHINA43	1208+	DIP鋼面金腳	1	原裝現(xiàn)貨實(shí)單可談	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	HSA28D15F	43所	23+	模塊	28000	原裝正品	詢價(jià)

更多HSA-254-WT供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-26 10:45:00

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