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HSB857J中文資料華昕數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

HSB857J
廠商型號(hào)

HSB857J

功能描述

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

文件大小

46.28 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Hi-Sincerity Mocroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

HSMC華昕

中文名稱(chēng)

華昕科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-9 20:00:00

HSB857J規(guī)格書(shū)詳情

Description

Low frequency power amplifier.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    HSB857J

  • 制造商:

    HSMC

  • 制造商全稱(chēng):

    HSMC

  • 功能描述:

    PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
華晰
23+
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2300
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
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一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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