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HSMS-2803-BLKG

包裝：散裝 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 類別：分立半導體產品 二極管 - 射頻 描述：RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT23-3

Broadcom Limited

Broadcom Limited

Broadcom Limited

HV2803

NoHigh-VoltageBias,LowHarmonicDistortion,32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch

Features ?32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch ?NoHigh-VoltageSuppliesRequired ?32-Channel,Single-Pole,Single-Throw(SPST) IndividualSwitchingorBankSwitching ?3.3VCMOSInputLogicLevel ?66MHzDataShiftClockFrequency ?Silicon-on-Insulator(SOI)High-Voltage Technology

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

HV2803/AHA

NoHigh-VoltageBias,LowHarmonicDistortion,32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch

Features ?32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch ?NoHigh-VoltageSuppliesRequired ?32-Channel,Single-Pole,Single-Throw(SPST) IndividualSwitchingorBankSwitching ?3.3VCMOSInputLogicLevel ?66MHzDataShiftClockFrequency ?Silicon-on-Insulator(SOI)High-Voltage Technology

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

IRLML2803

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLML2803

PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.25ohm)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?powerMOSFETsarewellknownfor,provid

IRF

International Rectifier

IRLML2803

GenerationVTechnologyUltraLowOn-Resistance

Features VDS(V)=30V RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導體廣東友臺半導體有限公司

IRLML2803

MOSFET

Features VDS(V)=30V RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導體

IRLML2803GPBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLML2803GTRPBF

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

IRLML2803PBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLML2803PBF

ULTRALOWONRESISFANCE

IRF

International Rectifier

IRLML2803TR

GenerationVTechnologyUltraLowOn-Resistance

Features VDS(V)=30V RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導體廣東友臺半導體有限公司

IRLML2803TR

MOSFET

Features VDS(V)=30V RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導體

IRLML2803TRPBF

GenerationVTechnology,UltraLowOn-Resistance

IRF

International Rectifier

IRLML2803TRPBF

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

JAN2803J

HIGHVOLTAGEMEDIUMCURRENTDRIVERARRAYS

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

JAN2803J

HIGHVOLTAGEMEDIUMCURRENTDRIVERARRAYS

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

KA2803

EarthLeakageDetector

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

KA2803B

EarthLeakageDetector

Description TheKA2803Bisdesignedforuseinearthleakagecircuitinterrupters,forstableoperationoftheAClineinbreakers.TheinputofthedifferentialamplifierisconnectedtothesecondarycoilofZCT(ZeroCurrentTransformer).Theamplifiedoutputofdifferentialamplifierisintegr

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

KA2803B

EarthLeakageDetector

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

產品屬性

  • 產品編號：

    HSMS-2803-BLKG

  • 制造商：

    Broadcom Limited

  • 類別：

    分立半導體產品 > 二極管 - 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 二極管類型：

    肖特基 - 1 對共陽極

  • 電壓 - 峰值反向（最大值）：

    70V

  • 不同?Vr、F 時電容：

    2pF @ 0V，1MHz

  • 不同?If、F 時電阻：

    35 歐姆 @ 5mA，1MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT23-3

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
AVAGO
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一級代理商進口原裝現(xiàn)貨、價格合理
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SOT-23
300000
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