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5N25

3.8A,250VLOGICN-CHANNELMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

5N25Z

3.8A,250VN-CHANNELMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

KF5N25D

NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforDC/DCConvertersandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=250V,ID=4.4A ?Dra

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

KF5N25F

NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforDC/DCConvertersandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=250V,ID=5A ?Drain

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

MTD5N25E

PowerFieldEffectTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTD5N25E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,pow

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTD5N25E

TMOSPOWERFET5.0AMPERES250VOLTSRDS(on)=1.0OHM

TMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecovery

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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原裝正品現(xiàn)貨,可開13個(gè)點(diǎn)稅
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SILICON LABS/芯科
24+
QFP64
16000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多HSP5N25供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-27 11:06:00

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