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IRFD9020	文件：267.19 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD9020	文件：1.031079 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedin?multipleco	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD9020	文件：442.11 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETTRANSISTORSPCHANNELHEXDIP HEXFET?TRANSISTORSPCHANNELHEXDIP? 1-WATTRATEDPOWERMOSFETsINA4-PIN,DUAL-IN-LINEPACKAGE	IRF International Rectifier	IRF
IRFD9020	文件：264.3 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Forautomaticinsertion ?Endstackable ?P-channel ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD9020PBF	文件：1.031079 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedin?multipleco	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRFR9020	文件：1.20947 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR9020	文件：238.31 Kbytes Page：8 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORS REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORS P-CHANNEL -50Volt,0.20OhmHEXFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9020	文件：4.08678 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyand	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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深圳龐田科技有限公司	HT9020BHOLTEKPDI	MAX/DALL	2023+環(huán)保現(xiàn)貨	標準封裝	2500	專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù)	詢價
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