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HTE3910MOHM	文件：224.09 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage / Thick Film Resistors	Riedon Riedon Powertron	Riedon
IIRFR3910	文件：335.48 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Fastswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤115m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRD3910	文件：97.56 Kbytes Page：4 Pages	20AND30AMPFASTRECOVERYRECTIFIERDIODES Description ThisrangeoffastrecoverydiodesisdesignedforapplicationsinDCpowersupplies,inverters,choppers,ultrasonicsystemandforuseasafree-wheelingdiode. Features ■Shortreverserecoverytime ■Lowstoredcharge ■Widecurrentrange ■Excellentsurgecapabilities ■Stu	IRF International Rectifier	IRF
IRD3910	文件：89.22 Kbytes Page：1 Pages	RectifiersFastRecovery	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFR3910	文件：3.73884 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3910	文件：141.83 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds=0.115ohm,Id=16A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3910	文件：335.48 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Fastswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤115m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR3910	文件：772.95 Kbytes Page：7 Pages	TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. Features VDS(V)=100V ID=16A(VGS=10V) RDS(ON)=115mW(VGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRFR3910	文件：723.93 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. Powerdissipationlevelsupto1.5watts arepossibleintypicalsurfacemountapplications. Features VDS(V)=100V ID=16A(VGS=10V) RDS(ON)=115mW(VGS=10V)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFR3910PBF	文件：393.26 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3910PBF	文件：397.99 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3910PBF	文件：397.99 Kbytes Page：11 Pages	ULTRALOWONRESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3910PBF	文件：4.00169 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3910TR	文件：397.99 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3910TR	文件：772.95 Kbytes Page：7 Pages	TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. Features VDS(V)=100V ID=16A(VGS=10V) RDS(ON)=115mW(VGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRFR3910TR	文件：723.93 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. Powerdissipationlevelsupto1.5watts arepossibleintypicalsurfacemountapplications. Features VDS(V)=100V ID=16A(VGS=10V) RDS(ON)=115mW(VGS=10V)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFR3910TRLPBF	文件：152.71 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3910TRPBF	文件：397.99 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3910TRPBF	文件：979.57 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
IRFRU3910	文件：152.71 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
HTE3910MOHM
制造商：
RIEDON
制造商全稱：
Riedon Powertron
功能描述：
High Voltage/Thick Film Resistors

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市艾宇欣科技有限公司	HTE52-200MF	Riedon	20+	N/A	78	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物	詢價(jià)
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