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HTS4A60H	文件：374.07 Kbytes Page：6 Pages	3 Quadrants Standard TRIAC	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HTU4A60S	文件：169.87 Kbytes Page：4 Pages	NONINSULATEDTYPESENSITIVEGATETRIAC(TO-251PACKAGE)	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 華汕電子器件汕頭華汕電子器件有限公司	Huashan
K4A60DA	文件：206.39 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=1.7?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:?Yfs?=2.2S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) ?Enhancement-mode:Vth=2.4to4.4V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
K4A60DB	文件：261.5 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(π-MOSⅦ) SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=1.6Ω(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=2.2S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) ?Enhancementmode:Vth=2.4to4.4V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
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STF4A60	文件：655.53 Kbytes Page：6 Pages	Bi-DirectionalTriodeThyristor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
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STR4A60	文件：670.5 Kbytes Page：6 Pages	Bi-DirectionalTriodeThyristor	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
STR4A60S	文件：651.47 Kbytes Page：5 Pages	SensitiveGateTriacs	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
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STU4A60	文件：358.07 Kbytes Page：5 Pages	Bi-DirectionalTriodeThyristor	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司	Winsemi
STU4A60H	文件：278.18 Kbytes Page：5 Pages	Bi-DirectionalTriodeThyristor	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司	Winsemi
STU4A60S	文件：483.57 Kbytes Page：5 Pages	SensitiveGateTriac	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司	Winsemi
TD4A60S	文件：1.3884 Mbytes Page：5 Pages	SensitiveGateTriac	APOLLOELECTRON Apollo Electron Co., Ltd.	APOLLOELECTRON
TF4A60	文件：2.79185 Mbytes Page：5 Pages	StandardTriac	APOLLOELECTRON Apollo Electron Co., Ltd.	APOLLOELECTRON
TK4A60D	文件：318.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.7Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
TK4A60D	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TK4A60D	文件：194.76 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingRegulatorApplications SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=1.4Ω(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:?Yfs?=2.5S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) ?Enhancementmode:Vth=2.4to4.4V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TK4A60DA	文件：206.39 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=1.7?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:?Yfs?=2.2S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) ?Enhancement-mode:Vth=2.4to4.4V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA

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