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HUF76609

100 VN-Channel MOSFET

Features ?UltraLowOn-Resistance ?SimulationModels ?TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER? ?ElectricalModels ?SpiceandSABERThermalImpedanceModels ?PeakCurrentvsPulseWidthCurve ?UISRatingCurve ?SwitchingTimevsRGSCurves ?VDS=100V ?RDS(ON)(atVGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導體廣東友臺半導體有限公司

HUF76609D3

10A, 100V, 0.165 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.160?,VGS=10V -rDS(ON)=0.165?,VGS=5V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER?ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels -www.Intersil.com ?PeakCurrentvsPulseWidthCurve

Intersil

Intersil Corporation

HUF76609D3

10A, 100V, 0.165 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.160?,VGS=10V -rDS(ON)=0.165?,VGS=5V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER?ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.Fairchildsemi.com ?PeakCurrentvsPulseWidthC

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

HUF76609D3

Marking：76609D；Package：TO-252；100 VN-Channel MOSFET

Features ?UltraLowOn-Resistance ?SimulationModels ?TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER? ?ElectricalModels ?SpiceandSABERThermalImpedanceModels ?PeakCurrentvsPulseWidthCurve ?UISRatingCurve ?SwitchingTimevsRGSCurves ?VDS=100V ?RDS(ON)(atVGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導體廣東友臺半導體有限公司

HUF76609D3S

10A, 100V, 0.165 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.160?,VGS=10V -rDS(ON)=0.165?,VGS=5V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER?ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.Fairchildsemi.com ?PeakCurrentvsPulseWidthC

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

HUF76609D3S

10A, 100V, 0.165 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.160?,VGS=10V -rDS(ON)=0.165?,VGS=5V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER?ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels -www.Intersil.com ?PeakCurrentvsPulseWidthCurve

Intersil

Intersil Corporation

HUF76609D3ST

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ?VDS=100V,ID=18.1A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    HUF76609

  • 功能描述：

    MOSFET 10a 100V 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多HUF76609供應商 更新時間2025-2-28 15:05:00

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