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UPA2761UGR

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheμPA2761UGRisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofanotebookcomputer. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)1=18.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=9A) ?RDS(on)2=30mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7A) ?LowCiss:Ciss=

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多HV2761供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-25 16:49:00