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HVV1011-180L

Excellent Ruggedness

ASI

Advanced Semiconductor

RL1011-180-R

Unshieldedradialleadeddrumcoreinductors

EATONEaton All Rights Reserved.

伊頓伊頓公司

STAP1011-180

RFpowertransistortheLdmoSTfamily,N-channelenhancement-modelateralMOSFETs

Features ■Excellentthermalstability ■Commonsourceconfigurationpush-pull ■POUT=180Wwith10dBgain@1030MHz 36V/100μsec-10 ■Plasticpackage ■Incompliancewiththe2002/95/ECeuropean directive Description TheSTAP1011-180isacommonsource N-channelenhancement-mode

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多HVV1011-180L供應(yīng)商 更新時間2025-1-7 15:20:00

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