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HY3208M中文資料后羿半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HY3208M
廠商型號

HY3208M

功能描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件大小

4.79775 Mbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 HOOYI SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

HOOYI后羿半導(dǎo)體

中文名稱

西安后羿半導(dǎo)體科技有限公司

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-10 23:00:00

HY3208M規(guī)格書詳情

Features

80V/120A

RDS(ON)= mW (typ.) @VGS=10V

· Reliable and Rugged

· Lead Free andGreenDevicesAvailable

(RoHSCompliant)

100% avalanche tested

7.0

Applications

· Power Management for Inverter Systems.

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