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HY57V561620CT-6

4Banksx4Mx16BitSynchronousDRAM

DESCRIPTION TheHY57V561620Cisa268,435,456bitCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V561620Cisorganizedas4banksof4,194,304x16. HY57V561620Cisofferingfullysynchronousoperationreferencedtoa

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導(dǎo)體

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更多HY57V561620CT-6DR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-2 15:00:00

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