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HY57V561620LT-8中文資料海力士數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HY57V561620LT-8
廠商型號

HY57V561620LT-8

功能描述

4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM

文件大小

151.77 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Hynix Semiconductor
企業(yè)簡稱

Hynix海力士

中文名稱

海力士半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-9 9:48:00

HY57V561620LT-8規(guī)格書詳情

The HY57V561620T is a 268,435,456bit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which require large memory density and high bandwidth. HY57V561620 is organized as 4 banks of 4,194,304x16.

The HY57V561620T is offering fully synchronous operation referenced to a positive edge of the clock. All inputs and outputs are synchronized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve very high bandwidth. All input and output voltage levels are compatible with LVTTL.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    HY57V561620LT-8

  • 制造商:

    HYNIX

  • 制造商全稱:

    Hynix Semiconductor

  • 功能描述:

    4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
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