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HY57V641620HGT-5I

4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM

DESCRIPTION TheHynixHY57V641620HGisa67,108,864-bitCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedfortheMobileapplicationsrwhichrequirelowpowerconsumptionandextendedtemperaturerange.HY57V641620HGisorganizedas4banksof1,048,576x16.HY57V641620HGisofferingfullysynchronousopera

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導(dǎo)體

HY57V641620HGT-5

4Banksx1Mx16BitSynchronousDRAM

DESCRIPTION TheHynixHY57V641620HGisa67,108,864-bitCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V641620HGisorganizedas4banksof1,048,576x16.HY57V641620HGisofferingfullysynchronousoperationrefere

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    HY57V641620HGT-5I

  • 制造商：

    HYNIX

  • 制造商全稱：

    Hynix Semiconductor

  • 功能描述：

    4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多HY57V641620HGT-5I供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-14 7:49:00

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