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HY57V658020

8Mx8bitSynchronousDRAMSeries

DESCRIPTION TheHY57V648010,HY57V648020,HY57V658010,HY57V658020,HY57V648011,HY57V648021,HY57V658011,HY57V658021arehighspeed3.3VSynchronousDRAMsandfabricatedwiththeHyundaiCMOSprocess.Eachbanksharesthesamechipinputsandoutputsbutcanbeindependentlyoperated.TheSynch

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導體

HY57V658020B

4Banksx2Mx8BitSynchronousDRAM

DESCRIPTION TheHynixHY57V658020Bisa67,108,864-bitCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V658020Bisorganizedas4banksof2,097,152x8. HY57V658020Bisofferingfullysynchronousoperationrefere

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導體

詳細參數(shù)

  • 型號:

    HY57V658020BTC-I

  • 功能描述:

    8Mx8|3.3V|4K|H|SDR SDRAM - 64M

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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23+
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更多HY57V658020BTC-I供應商 更新時間2025-2-3 14:02:00