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IS61C67

16KX1HIGHSPEEDCMOSSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS61C67isahighspeed,lowpower,16384-wordbgy1-bitCMOSstaticRAM.ItisfabricatedusingISSIshighperformanceCMOSdoublemetaltechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas15nsmaximum.

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

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更多HY61C67供應(yīng)商 更新時間2025-2-3 17:03:00

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