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HY62256A中文資料海力士數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

HY62256A
廠商型號(hào)

HY62256A
功能描述

32Kx8bit CMOS SRAM
文件大小

820.64 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 Hynix Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Hynix【海力士】

中文名稱

海力士半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-23 22:58:00
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HY62256A規(guī)格書詳情

Description

The HY62256A/HY62256A-I is a high-speed, low power and 32,786 x 8-bits CMOS Static Random Access Memory fabricated using Hyundais high performance CMOS process technology. The HY62256A/HY62256A-I

has a data retention mode that guarantees data to remain valid at the minimum power supply voltage of 2.0 volt. Using the CMOS technology, supply voltages from 2.0 to 5.5 volt has little effect on supply current in the data retention mode. The HY62256A/HY62256A-I is suitable for use in low voltage operation and battery back-up application.

Features

·Fully static operation and Tri-state outputs

·TTL compatible inputs and outputs

·Low power consumption

-2.0V(min.) data retention

·Standard pin configuration

-28 pin 600 mil PDIP

-28 pin 330 mil SOP

-28 pin 8x13.4 mm

TSOP-1 (standard and reversed)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    HY62256A

  • 功能描述：

    DRAM & SRAM MEMORY

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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