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HY62CT08081E-DPI中文資料海力士數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HY62CT08081E-DPI
廠商型號

HY62CT08081E-DPI

功能描述

32Kx8bit CMOS SRAM

文件大小

186.36 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Hynix Semiconductor
企業(yè)簡稱

HYNIX海力士

中文名稱

海力士半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-30 12:31:00

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HY62CT08081E-DPI規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The HY62CT08081E is a high-speed, low power and 32,786 X 8-bits CMOS Static Random Access Memory fabricated using Hynixs high performance CMOS process technology. It is suitable for use in low voltage operation and battery back-up application. This device has a data retention mode that guarantees data to remain valid at the minimum power supply voltage of 2.0 volt.

FEATURES

? Fully static operation and Tri-state output

? TTL compatible inputs and outputs

? Low power consumption

? Battery backup

- 2.0V(min.) data retention

? Standard pin configuration

- 28 pin 600mil PDIP

- 28 pin 330mil SOP

- 28 pin 8x13.4 mm TSOP-I (Standard)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    HY62CT08081E-DPI

  • 制造商:

    HYNIX

  • 制造商全稱:

    Hynix Semiconductor

  • 功能描述:

    32Kx8bit CMOS SRAM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
HYNIX/海力士
1824+
DIP
2701
原裝現(xiàn)貨專業(yè)代理,可以代拷程序
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HYNIX
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原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種
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256800
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