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HY75N10T	文件：244.29 Kbytes Page：4 Pages	100V / 75A N-Channel Enhancement Mode MOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
IXFH75N10	文件：371.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH75N10	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH75N10	文件：94.17 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH75N10Q	文件：154.74 Kbytes Page：2 Pages	HIPERFETPOWERMOSFETSQCLASS	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH75N10Q	文件：371.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFM75N10	文件：94.17 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFM75N10	文件：275.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFM75N10	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT75N10Q	文件：154.74 Kbytes Page：2 Pages	HIPERFETPOWERMOSFETSQCLASS	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA75N10P	文件：581.24 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA75N10P	文件：266.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTC75N10	文件：296.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?DrainSourceVoltage-:VDSS=100V(Min) ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤20m?@VGS=10V ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATION ?DC/DCConverter ?Idealforhigh-frequencyswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTC75N10	文件：73.18 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementMode MegaMOS?FET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH75N10	文件：53.34 Kbytes Page：2 Pages	MegaMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH75N10	文件：111.63 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOS?process ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH75N10	文件：381.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTM75N10	文件：53.34 Kbytes Page：2 Pages	MegaMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTM75N10	文件：311.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTM75N10	文件：111.63 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOS?process ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
HY75N10T
制造商：
HY
制造商全稱：
HY ELECTRONIC CORP.
功能描述：
100V/75A N-Channel Enhancement Mode MOSFET

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	HY7680M49SSMDOB2R20		24+	N/A	47000	一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	HY76C256CLLFW70	HYUNDAI	24+	SSOP	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	HY76C256CLLFW70	HYUNDAI	23+	SSOP	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	HY76C256CLLFW70	HYUNDAI	21+	SSOP	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	HY76C256CLLFW70	HYUNDAI	2022	SSOP	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	HY76C256CLLFW70		HYUNDAI	SSOP	68900	原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	HY76C256CLLFW70	HYUNDAI	23+	SSOP	10000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	HY76C256CLLFW70	HYUNDAI	23+	NA/	11	優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票	詢價(jià)
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