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HYB25D512800CE-5集成電路（IC）存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
HYB25D512800CE-5 |
| 參數(shù)屬性 | HYB25D512800CE-5 封裝/外殼為66-TSSOP（szeroko?? 0，400"，10，16mm）；包裝為托盤托盤；類別為集成電路（IC） > 存儲器；產(chǎn)品描述：IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II |
| 功能描述 | DDR SDRAM |
| 文件大小 |
1.87519 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
37 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Qimonda AG |
| 企業(yè)簡稱 |
QIMONDA |
| 中文名稱 | Qimonda AG官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-11-19 11:16:00 |
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HYB25D512800CE-5屬于集成電路（IC） > 存儲器。Qimonda AG制造生產(chǎn)的HYB25D512800CE-5存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
HYB25D512800CE-5
- 制造商：
Qimonda
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
托盤托盤
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
DRAM
- 技術：
SDRAM - DDR
- 存儲容量：
512Mb（64M x 8）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
2.3V ~ 2.7V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
66-TSSOP（szeroko?? 0，400"，10，16mm）
- 供應商器件封裝：
66-TSOP II
- 描述：
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
QIMONDAAG |
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Qimonda |
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QIMONDAAG |
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