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HZF6.2BP	文件：367.253 Kbytes Page：2 Pages	1W6.2VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
HZF6.2BP	文件：364.11 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
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HZM6.2N	文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HZM6.2N	文件：37.01 Kbytes Page：10 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZM6.2N	文件：92.21 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HZM6.2N	文件：210.1 Kbytes Page：10 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HZM6.2NB	文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HZM6.2NB	文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer Features ?Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. ?MPAKPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HZM6.2ZFA	文件：31.41 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZM6.2ZMFA	文件：164.85 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HZM6.2ZMWA	文件：102.43 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HZM6.2ZWA	文件：30.35 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZU6.2	文件：100.59 Kbytes Page：11 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforStabilizer Features ?UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign. ?Thesediodesaredeliveredtaped.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HZU6.2G	文件：56.05 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorption	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HZU6.2L	文件：31.11 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	HITACHI-METALSHitachi Metals, Ltd 日立金屬日立金屬有限公司	HITACHI-METALS
HZU6.2Z	文件：153.95 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb Features ?Lowcapacitance(C=8.5pFmax)andcanprotectsignallinefromESD. ?UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
KDZ6.2B	文件：135.63 Kbytes Page：5 Pages	Zenerdiode Features Smallpowermoldtype.(PMDU) HighESDtolerance Applications Voltageregulation Construction Siliconepitaxialplanar	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
KDZ6.2B	文件：134.57 Kbytes Page：5 Pages	Zenerdiode Features Smallpowermoldtype.(PMDU) HighESDtolerance Applications Voltageregulation Construction Siliconepitaxialplanar	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
KDZ6.2B	文件：134.86 Kbytes Page：5 Pages	Zenerdiode Features Smallpowermoldtype.(PMDU) HighESDtolerance Applications Voltageregulation Construction Siliconepitaxialplanar	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM

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深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	HZC6.2TRF	RENESAS/瑞薩	23+	SOT-523	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
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