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HZM9.1NB1

SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HZM9.1NB1

SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer

Features ?Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. ?MPAKPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HZS9.1NB1

SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply

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瑞薩瑞薩科技有限公司

PZM9.1NB1

Voltageregulatordiodes

DESCRIPTION LowpowergeneralpurposevoltageregulatordiodeinaSOT346(SC59)plasticpackage,suitableforsurface mounteddesign. FEATURES ?Totalpowerdissipation:max.300mW ?Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign ?Wideworkingvoltagerange:nom.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

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RENESAS(瑞薩)/IDT
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更多HZM9.1NB1JTL-E供應(yīng)商 更新時間2024-11-7 23:00:00