IAUTN12S5N018T中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	IAUTN12S5N018T
功能描述	OptiMOS? 5 Power-Transistor
絲印標(biāo)識(shí)	5N12N018
封裝外殼	PG-HDSOP-16-1
文件大小	1.61799 Mbytes
頁面數(shù)量	12 頁
生產(chǎn)廠商	Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱	Infineon【英飛凌】
中文名稱	英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-5-24 23:01:00
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IAUTN12S5N018T規(guī)格書詳情

Features

? OptiMOS? power MOSFET for automotive applications

? N-channel – enhancement mode – normal level

? Extended qualification beyond AEC-Q101

? Enhanced electrical testing

? Robust design

? MSL1 up to 260°C peak reflow

? 175°C operating temperature

? RoHS compliant

? 100% avalanche tested

? Very low reverse recovery charge (Qrr)

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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