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IRLR3410TR	文件：468.78 Kbytes Page：7 Pages	TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infrared,orwavesoldering techniques. Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossible intypicalsurfacemountapplications. Features VDS(V)=100V ID=17A(VGS=10V) RDS(ON)=105mW(VGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRLR3410TR	文件：388.28 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infrared,orwavesoldering techniques. Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossible intypicalsurfacemountapplications. Features VDS(V)=100V ID=17A(VGS=10V) RDS(ON)=105mW(VGS=10V)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
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IRLR3410TRPBF	文件：979.54 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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