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ICE22N60W	文件：959.93 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET	MICROSS Micross Components	MICROSS
ICE22N60W	文件：605.59 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET	ICEMOS Icemos Technology	ICEMOS
IRF22N60	文件：383.33 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司	NELLSEMI
IRFP22N60K	文件：445.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?SwitchingVoltageRegulators ?FEATURES ?Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=0.28?(MAX) ?Enhancementmode: Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP22N60K	文件：150.15 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage ??andCurrent ?EnhancedBodyDiodedV/dtCapability ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP22N60K	文件：172.39 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET Benefits ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EnhancedBodyDiodedv/dtCapability Applications ?HardSwitchingPrimaryorPFSSwitch ?SwitchM	IRF International Rectifier	IRF
IRFP22N60K	文件：228.65 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent ?EnhancedbodydiodedV/dtcapability ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP22N60KPBF	文件：150.15 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage ??andCurrent ?EnhancedBodyDiodedV/dtCapability ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP22N60KPBF	文件：175.95 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EnhancedBodyDiodedv/dtCapability Applications ?HardSwitchingPrimaryorPFSSwitch ?SwitchM	IRF International Rectifier	IRF
IXFC22N60P	文件：323.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFC22N60P	文件：237.05 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETISOPLUS220	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH22N60P	文件：301.5 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH22N60P	文件：336.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.35Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFP22N60	文件：295.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=360mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFQ22N60	文件：311.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=390mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFV22N60P	文件：301.5 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFV22N60PS	文件：301.5 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ22N60P	文件：300.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTQ22N60P	文件：320.27 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTV22N60P	文件：293.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
ICE22N60W
制造商：
ICEMOS
制造商全稱：
ICEMOS
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市福田區(qū)億興成電子商行	ICE23LM020			小內(nèi)存	5000		詢價
深圳市恒達(dá)億科技有限公司	ICE23LM020	ICE	23+	TSSOP	4500	全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	ICE23LM020-120T3C	ICE	23+	TSSOP	10845	全新原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市英卓爾科技有限公司	ICE23LM020-120T3C	ICE	20+	TSSOP	2960	誠信交易大量庫存現(xiàn)貨	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	ICE23LM020-120T3C	ICE	23+	TSSOP	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	ICE23LM020-120T3C	ICE	21+	TSSOP	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳廊盛科技有限公司	ICE23LM020-120T3C	ICE	2022	TSSOP	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價
深圳市匯萊威科技有限公司	ICE23LM020-120T3C		ICE	TSSOP	68900	原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	ICE23LM020-120T3C	ICE	23+	TSSOP	4000	一級代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、	詢價
深圳市宏世佳電子科技有限公司	ICE23LM020-120T3C	ICE	2023+	TSSOP	3565	全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售	詢價

更多ICE22N60W供應(yīng)商更新時間2024-12-24 13:00:00

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