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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
ICF-640-S-O	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝類(lèi)別：連接器，互連器件 IC 插座描述：CONN IC DIP SOCKET 40POS TIN	Samtec Inc. Samtec Inc.	Samtec Inc.
iC-LFH640	文件：1.19562 Mbytes Page：14 Pages	HIGH-RESOLUTIONLINEARIMAGESENSORS	ICHAUS IC-Haus GmbH	ICHAUS
IIRF640N	文件：338.66 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IQXO-640	文件：152.86 Kbytes Page：2 Pages	CrystalClockOscillatorSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IQXO-640	文件：157.14 Kbytes Page：7 Pages	Standard1.6x1.2mmcrystaloscillatorinaceramicpackagewithaseamsealedmetallid,hermeticallysealed	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IRC640	文件：228.9 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.18ohm,Id=18A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?Dynamicdv/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?CurrentSense ?FastSwitching ?Ease	IRF International Rectifier	IRF
IRC640PBF	文件：1.13633 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPOWERMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?Dynamicdv/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?CurrentSense ?FastSwitching ?Ease	IRF International Rectifier	IRF
IRF640	文件：178.22 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.18ohm,Id=18A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwithbestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipat	IRF International Rectifier	IRF
IRF640	文件：107.08 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL200V-0.150ohm-18ATO-220/TO-220FPMESHOVERLAY]MOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusinghecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAY?process.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. ■TYPICALRDS(on)=0.150? ■EXTREMELYHIGHdV/dtCAPABILITY ■VERYLOW	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
IRF640	文件：95.09 Kbytes Page：9 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistorusingTrenchtechnology,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
IRF640	文件：140.72 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,18A,150-200V N-ChannelPowerMOSFETs,18A,150-200V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF640	文件：916.61 Kbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF640	文件：132.2 Kbytes Page：7 Pages	18A,200V,0.180Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF640	文件：1.70972 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF640	文件：161.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?DrainCurrent–ID=18A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.18Ω(Max) ?FastSwitchingSpeed ?LowDriveRequirement APPLICATIONS ?Designedforlowvoltage,highspeedpowerswitching applicationssuch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF640	文件：994.62 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePOWERMOSFET Features: *SuperHighDenseCellDesignForLowRDS(ON) RDS(ON)	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
IRF640	文件：168.93 Kbytes Page：6 Pages	POWERTRMOSFET GENERALDESCRIPTION ThisPowerMOSFETisdesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. FEATURES ◆SiliconGateforFastSwitchingSpeeds ◆LowRDS(on)toMinimizeOn-Losses.SpecifiedatElevated Temp	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF640	文件：206.36 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFN-CHANNELPOWERMOSFET Description Designedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. Features RepetitiveAvalancheRated FastSwitching EaseofParalleling SimpleDriveRequirements	DCCOM Dc Components	DCCOM
IRF640	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	NCHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS FEATURE NchannelinaplasticTO220package. Theyareintendedforuseinhighspeedpowerswitching,low voltage,relaydriversandgeneralpurposeswitching applications. DC-DC&DC-ACconvertersfortelecom,industrialandlighting equipment. CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
IRF640	文件：158.63 Kbytes Page：5 Pages	18A200VNCHANNELPOWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThisPowerMOSFETisdesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. FEATURES ◆SiliconGateforFastSwitchingSpeeds ◆LowRDS(on)toMinimizeOn-Losses.SpecifiedatElevated Temp	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
ICF-640-S-O
制造商：
Samtec Inc.
類(lèi)別：
連接器，互連器件 > IC 插座
系列：
iCF
包裝：
散裝
類(lèi)型：
DIP，0.6"（15.24mm）行距
針位或引腳數(shù)（柵格）：
40（2 x 20）
間距 - 配接：
0.100"（2.54mm）
觸頭表面處理 - 配接：
錫
觸頭材料 - 配接：
銅鈹
安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
特性：
開(kāi)放框架
端接：
焊接
間距 - 柱：
0.100"（2.54mm）
觸頭表面處理 - 柱：
錫
觸頭材料 - 柱：
銅鈹
外殼材料：
液晶聚合物（LCP）
工作溫度：
-55°C ~ 125°C
描述：
CONN IC DIP SOCKET 40POS TIN

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市博浩通科技有限公司	ICF7304	IR	23+	SOP-8	1005	優(yōu)勢(shì)庫(kù)存	詢(xún)價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	ICF7304	IR	22+	SOP-8	6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢(xún)價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	ICF7304	IR	23+	SOP-8	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	ICF7304	IR	23+	SOP-8	7000		詢(xún)價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IC-F8066-A243.95MHZ	NDK	23+		10000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢(xún)價(jià)
深圳市富芯樂(lè)電子科技有限公司	ICF8N10K	ST	22+	TO-220F	26000	只做原裝正品現(xiàn)貨歡迎來(lái)電查詢(xún)15919825718	詢(xún)價(jià)
ICF8N10K	ST	23+24	TO-220F	29840	主營(yíng)MOS管,二極.三極管,肖特基二極管.功率三極管	詢(xún)價(jià)
艾睿國(guó)際（香港）有限公司	ICF9FG1201CGLF	ICS	2021+	TSSOP56	100500	一級(jí)代理專(zhuān)營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨	詢(xún)價(jià)
上海鑫科潤(rùn)電子科技有限公司	ICFA3635S-H1		00+	SOP-8	118	原裝現(xiàn)貨海量庫(kù)存歡迎咨詢(xún)	詢(xún)價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	ICFA3635S-H1		22+23+	SOP-8	8786	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)

更多ICF-640-S-O供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-12 14:02:00

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